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关于《高品质N型单晶硅关键制备技术研究及智能化集成控制应用》项目提名申报自治区科学技术进步奖相关信息的公示

发布日期:2024-01-03    点击数:

银川隆基硅材料有限公司《高品质N型单晶硅关键制备技术研究及智能化集成控制应用》项目提名申报自治科学技术进步奖一等奖,宁夏大学为该项目的参与单位,按照自治区科学技术厅《关于组织开展2023年度宁夏回族自治区科学技术奖提名工作的通知》的相关要求,现对相关申报信息予以公示。

公示期为:202413- 2024110日。公示期内如对公示内容有异议,请以书面形式与科学技术研究院联系。

联 系 人:张 龙

联系电话:2061619 15595206000


附件:高品质N型单晶硅关键制备技术研究及智能化集成控制应用公示材料



                     宁夏大学科学技术研究院

               202413



附件

《高品质N型单晶硅关键制备技术研究及智能化集成控制应用》公示材料

一等奖

一、项目名称

“高品质N型单晶硅关键制备技术研究及智能化集成控制应用”

二、完成单位(含排序):

银川隆基硅材料有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、宁夏大学

三、完成人(含排序)

郑晓杨、李文学、李进、高忙忙、赵紫薇、邓浩、张佃平、马少林、谢志宴、付楠楠、成路、王一淳、李迎春、金雪、王斐

四、项目主要创新简介:

本项目聚焦N型单晶硅从工艺技术到规模化量产的全研发生产流程的系统化创新,以关键技术研究创新、工艺整合优化、生产设备调控为支撑点,破解了制约高品质N型单晶硅产品制备和规模化量产的4大关键技术难题,共计取得相关研究成果62主要创新性和先进性如下:

科技创新成果1. N型单晶硅棒电阻率均匀性控制技术研究。

针对晶体超低炉压下电阻率不均匀的行业难题,耦合单晶炉内掺杂剂的挥发与分凝效应,建立物质输运模型,提出超低炉压掺磷直拉N型单晶硅工艺,通过可变低炉压技术方案,提高晶棒杂质元素的纵向分布均匀性,显著改善纵向电阻率的均匀分布,使N型晶棒电阻率方差均值仅有原工艺方差均值的50%突破了晶体头尾部纵向电阻率一致性的行业难题。

科技创新成果2N型单晶硅低氧制备关键技术

针对N型单晶硅氧含量高的行业难题,聚焦氧源头的产生,以熔体对流控制位核心,确定了热场设计+工艺优化的降氧方案,设计了高阻除氧加热器、除氧环等热场部件,依据氧边界预测模型,采用前置降氧技术方案,使晶体中头部氧含量≤12ppma,氧回收比例降低≥2.4%,尾部少子寿命≥7000μs,领先行业水平,同时同心圆比例仅为0.3%有效改善了N型单晶硅的同心圆比例高的行业难题。

科技创新成果3N型单晶硅的高效能大热场开发

针对大热场存在的温度场分布不均匀的问题,基于固液界面形状和V/G值优化目标,通过热场材料、结构以及表面的改进优化,采用新型的埚帮和热屏材料,设计千公斤级热场系统,耦合晶体生长参数,将生长速度提升至115mm/h,现已实现了37吋热场配套工艺的全面推广,单炉投料≥4300kg,使N型硅产品的单位成本(元/kg)降低了27.32%,显著降低了N型硅产品的制备成本。

科技创新成果4N型单晶硅智能化生产技术集成

针对单晶硅生产系统智能化水平低的问题,基于生产制造管理系统,通过仿真模拟单体单晶炉的生产数据,建立制备工艺反溯性能预测模型;同时,利用PLC(工业控制系统)+PAC(可编程自动化控制器)双重控制系统,结合MES(制造执行系统)的生产过程数据以及设备端的秒级数据,建立了单晶车间的“大数据控制模型”和云技术分析平台,实现了单晶车间集中监控、数据自主采集可视化及实时智能调控,使N型产品生产效率提升了112%

五、客观评价

本项目着眼于制约高品质N型单晶硅产品制备和规模化量产的关键技术难题,重点开展了“高品质N型单晶硅关键制备技术研究及智能化集成控制应用”项目的系统研究,取得的主要创新技术成果和行业贡献如下:

1、首创“超低炉压掺磷直拉N型单晶硅工艺”,有效改善了N型单晶硅棒的轴向电阻率一致性,电阻率方差均值仅有RCz50%,良品率79%,单产提升幅度0.52kg/h

2、首创“N型单晶硅低氧制备关键技术”,使晶体中头部氧含量≤12ppma,氧回收比例降低≥2.4%,尾部少子寿命≥7000μs,同心圆比例仅为0.3%,有效改善了N型单晶硅的同心圆比例高的行业难题。

3N型单晶硅的高效能大热场开发工艺,突破了高效能超大热场温度场分布与精准控制难度大的技术难题,实现了37吋热场配套工艺的全面推广,单炉投料≥4300kg,使N型硅产品的单位成本(元/kg)降低了27.32%

4N型单晶硅智能化生产技术集成控制系统,通过建立单晶车间的“大数据控制模型”和云技术分析平台,实现了单晶车间集中监控、数据自主采集可视化及实时智能调控,使N型产品生产效率提升了112%

专家评价结论

本项目成果在隆基4个生产基地推广近3年累计实现销售收入逾10亿元,对于带动N型单晶硅生产制备的关键技术创新,实现生产环节的降本增效,促进宁夏自治区光伏生产制造企业技术创新、提质增效、数字化转型以及“六新”产业的高层次人才培养,带动宁夏自治区以及中国光伏产业链可持续发展推动宁夏建设“黄河流域生态保护和高质量发展先行区”建设工作,对于推动我国实现绿色能源转型、降低碳排放和可持续发展具有重大战略价值。

2023920日,本项目成果经过中科合创(北京)科技成果评价中心组织专家对“高品质N型单晶硅关键制备技术研究及智能化集成控制应用”项目科技成果进行评审鉴定。专家评价组认为“本项目成果破解了制约高品质N型单晶硅产品制备和规模化量产的行业共性关键技术难题,取得相关研究成果62项,实现了工业化应用,经济和社会效益显著。该成果整体技术达到国际领先水平。建议进一步加大推广应用”。


六、主要完成人情况

序号

姓名

性别

出生年月

技术职称

文化程度

工作单位

对成果创造性贡献

1

郑晓杨

198211

工程师

学士

银川隆基硅材料有限公司

涵盖主要创新点第1234项。针对大热场存在的温度场分布不均匀的问题,基于固液界面形状和V/G值优化目标,参与提出了通过热场结构以及表面的改进优化方案,采用新型的埚帮和热屏材料,设计千公斤级热场系统,解决量产过程中的各类技术问题。

2

李文学

19663

高级工程师

硕士

隆基绿能科技股份有限公司

涵盖主要创新点第1234项。基于N型单晶硅片发展需求和特性、公司发展的战略目标,确定N型硅片所需要达到的成本目标及战略规划目标。

3

19649

教授

博士

宁夏大学

涵盖主要创新点123项。基于N型单晶硅特性主导大直径单晶硅的掺杂机理研究、氧含量对单晶生长过程的影响研究。

4

高忙忙

19825

研究员

博士

宁夏大学

涵盖主要创新点第123项,对N型单晶硅掺杂元素的均匀性、杂质的传质行为以及炉内热量传输机理进行了研究,确定了解决N型单晶硅生产中关键问题的技术方案与科学核心问题。

5

赵紫薇

19889

讲师

博士

宁夏大学

涵盖主要创新点第23项,凝练了N型单晶硅生产过程中的核心科学问题。

6

邓浩

19857

高级工程师

硕士

隆基绿能科技股份有限公司

涵盖主要创新点第2项。参与针对有害同心圆缺陷问题进行原理分析;参与复合掺杂及其均匀性控制技术的研究;参与硅棒制备的关键技术及产及关键制备技术产业链协同研究。

7

张佃平

198112

副教授

博士

宁夏大学

涵盖主要创新点第23项,凝练了N型单晶硅生产过程中涉及的掺杂机理研究、氧含量的核心科学问题

8

马少林

19849

工程师

硕士

隆基绿能科技股份有限公司

涵盖主要创新点第2项。针对该创新点提出放肩新型降温模型、降氧加热器、降氧环的相关组织预研,并在中试、规模验证过程中进行针对性疑难问题解决。

9

谢志宴

19887

/

硕士

隆基绿能科技股份有限公司

涵盖主要创新点第1项。重点负责承担N型单晶硅棒的复合掺杂及其均匀性控制技术研究。

10

付楠楠

19878

工程师

硕士

隆基绿能科技股份有限公司

涵盖主要创新点第2项。参与N型高纯度单晶硅棒制备的关键技术及调控研究。

11

成  路

19828

工程师

硕士

隆基绿能科技股份有限公司

涵盖主要创新点第23项。针对有害同心圆缺陷产生参与提出低氧单晶技术显著降低晶硅氧含量;参与研究拉晶工艺指数工艺包。

12

王一淳

198411

/

硕士

隆基绿能科技股份有限公司

涵盖主要创新点第123项。参与针对有害同心圆缺陷问题进行原理分析;参与复合掺杂及其均匀性控制技术的研究;参与硅棒制备的关键技术及产及关键制备技术产业链协同研究。

13

李迎春

19852

高级工程师

学士

银川隆基硅材料有限公司

涵盖主要创新点第3项,针对大热场存在的温度场分布不均匀的问题,基于固液界面形状和V/G值优化目标,参与提出了通过热场结构以及表面的改进优化方案,采用新型的埚帮和热屏材料,设计千公斤级热场系统;主导输出关键控制流程及关键工艺参数等整套工艺包。

14

金  雪

199010

初级

学士

银川隆基硅材料有限公司

涵盖主要创新点第23项,参与设计“热场设计+工艺优化”降氧方案,针对晶体氧含量生长规律进行研究,参与设计降氧热场部件及降氧技术方案,进行PN型热场需求差异分析,并完成大尺寸热场拉晶制备、拉速提升等关键核心技术的工艺标准文件制备。

15

王  斐

19945

初级

学士

银川隆基硅材料有限公司

涵盖主要创新点第34项。参与了SOP、直拉法太阳能关键控制流程、关键工艺参数等工艺包开发。参与完成单晶硅RCZ制备的自适应智能调控技术的研究、应用与推广。

七、主要知识产权证明目录(不超过10件)

知识产权类别

知识产权具体名称

国家

(地区)

授权号

授权日期

证书编号

权利人

发明人

发明专利有效状态

发明专利

一种单晶硅拉晶工艺方法

中国

CN113652737B

2023/01/13

ZL 2021 1 0984273.4

隆基绿能科技股份有限公司

邓浩;谢志宴;靳乾

有效

发明专利

一种单晶硅棒的制造方法

中国

CN114164489B

2023/01/13

ZL 2020 1 0949545.2

宁夏隆基硅材料有限公司

涂准;陈立军;邓浩

有效

发明专利

一种镀膜隔热反光石英热屏及其制备方法

中国

CN108609864B

2022/01/14

ZL 2016 1 1139837.X

银川隆基硅材料有限公司

贾祯;梁永生;冉瑞应;栗宁;张立平

有效

发明专利

一种复合石英坩埚的制备方法及复合石英坩埚

中国

CN113510824B

2022/07/05

ZL 2020 1 0275959.1

隆基绿能科技股份有限公司

韩东;郭华盈;刘攀;刘阳;王征;周俊祥

有效

国家标准

硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

中国

GB/T   1557-2018

2018/09/17

国际标准分类号:77.040

中国标准分类号:H 17

新特能源股份有限公司、有研半导体材料有限公司、亚洲硅业(青海)有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、内蒙古盾安光伏科技有限公司、峨嵋半导体材料研究所、北京合能阳光新能源技术有限公司

银波;夏进京;邱艳梅;刘国霞;柴欢;赵晶晶;刘文明;姚利忠;王海礼;邓浩;高明;郑连基;陈赫;石宇;杨旭;肖宗杰

有效

实用新型

一种直拉法制造单晶的导流筒及单晶炉

中国

CN219508065U

2023/05/22

ZL 2023 2 0027322.X

银川隆基硅材料有限公司

周永波;杨东;王玉龙;吴苗苗;王依岗

有效

发明专利

一种硅棒的晶线生长状态检测方法、装置及设备

中国

CN112444516B

2022/03/11

ZL 2019 1 0745478.X

隆基绿能科技股份有限公司

郭力;李侨;徐战军

有效

发明专利

一种拉晶方法、一种单晶炉、一种计算机可读存储介质

中国

CN112095141B

2022/05/03

ZL 2019 1 0523109.6

宁夏隆基硅材料有限公司

涂准;白喜军;李强;周嘉浩

有效

计算机软著

单晶车间中控系统V2.0

中国

NO.10642928

2022/08/   05

(登记号)2022SR1025389

西安隆基智能技术有限公司

/

/

发明专利

一种液口距确定方法、装置及单晶炉

中国

CN112281208 B

2022/04/05

ZL 2019 1 0662728.3

隆基绿能科技股份有限公司

郭力;李侨;徐战军

有效

八、代表性论文专著目录(不超过10篇)

序号

刊名

论文专著

名称

影响因子

发表时间(年月)

作者

(前三名)

SCI

他引次数

1

Silicon

Qualitative   Characterization of Solute Boundary Layer in Industrial Czochralski Growth of   Silicon

3.4

2020.12

Mangmang Gao, Ang Gao, Yan Li

1

2

Materials Science Forum

Influence of Heater Diameter on the Temperature   Distribution and Melt Convection in a Directional Solidification System for   Mono-Like Silicon Growth

0.5

2016.8

MangMang   GAO, HuaYu JING, Jin LI

1

3

人工晶体学报

保温毡结构对200mm单晶硅生长过程中热场和氧含量的影响

0.831(知网)

2015.10

高忙忙,景华玉,李进

/

4

人工晶体学报

感应加热制备太阳能级铸造准单晶硅熔体的流动行为研究

0.831(知网)

2015.07

高忙忙,薛子文,李进

/

5

硅酸盐通报

加热器/坩埚相对位置对200mm单晶硅生长过程中温度场和晶体质量的影响


1.912(知网)

2016.11

高忙忙,朱博,李进

/

6

人工晶体学报

氩气流速对400mm大直径磁场直拉单晶硅固液界面、热应力及氧含量的影响

0.831(知网)

2014.5

李进,张洪岩,高忙忙

/

7

Journal of   Crystal Growth

Effect of gas flow rate on chemical reactions in Czochralski silicon   crystal growth

1.8

2018.9

Yan Li, Mangmang Gao, Jin Li

1

8

硅酸盐通报

导流筒对200mm直拉单晶硅氧含量的影响研究

1.912(知网)

2013.9

李进,杨翠,高忙忙

/

9

人工晶体学报

埚转对300mm直径单晶硅生长过程中熔体内氧边界层的影响

0.831(知网)

2015.10

李进,董法运,高忙忙

/

10

太阳能学报

退火过程对硅锭热应力与位错影响的数值分析

1.07

2023.1

韩博,李进,安百俊

/